靶麵發出的二次電子
，在相互垂直的電場力和磁場力的聯合作用下
，沿著跑道跨越磁力線做旋輪線形的跳動
，並以這種形式沿著跑道轉圈
，增加與氣體原子碰撞的機會
。克服了二極
、三極濺射的缺點
。
能量較低的二次電子循環運動
，每個電子使原子電離的機會增加，隻有在電子的能量耗盡以後才能脫離靶表麵
，且落在陽極
。基片溫升小
，損傷小的原因
。
高密度的等離子體被電磁場束縛在靶麵附近
，不與基片接觸
。
提高電離效率
，工作壓力可降低到10-1～10-2Pa數量級
；從而減少工作氣體對被濺射原子的散射作用
，提高沉積速率
，增加膜層牢固度
。
進行磁控濺射時
，電子與氣體原子的碰撞幾率高
，因此氣體離化率大大增加
。
低溫濺射
：對被濺射的靶材料進行直接冷卻
；利用磁場在減少電子能量的同時
，再輔以電子捕集器以排除電子對基板的轟擊
。
高速濺射
：盡量加大投入到靶上的功率
；提高濺射沉積的功率效率
；減少濺射原子或分子向靶的逆擴散
。
